LND01K1-G
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
НОВА часть #:
312-2274209-LND01K1-G
Производитель:
Номер детали производителя:
LND01K1-G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 9 V 330mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-5
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -25°C ~ 125°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-5 | |
| Базовый номер продукта | LND01 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 330mA (Tj) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 0V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 100mA, 0V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | - | |
| Полевой транзистор | Depletion Mode | |
| Пакет/кейс | SC-74A, SOT-753 | |
| VGS (макс.) | +0.6V, -12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 9 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 46 pF @ 5 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 360mW (Ta) | |
| Другие имена | LND01K1-GDKR LND01K1-GTR LND01K1-GCT LND01K1-G-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI2342DS-T1-GE3Vishay Siliconix- BSS159NH6906XTSA1Infineon Technologies
BSP149H6906XTSA1Infineon Technologies- 2SK209-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
- BSS159NH6327XTSA2Infineon Technologies
DN1509K1-GMicrochip Technology
LND150N3-GMicrochip Technology
SI1050X-T1-GE3Vishay Siliconix
DMN1260UFA-7BDiodes Incorporated
CPC3701CTRIXYS Integrated Circuits Division
BSS169H6906XTSA1Infineon Technologies
