BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
НОВА часть #:
312-2274739-BSS670S2LH6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSS670S2LH6327XTSA1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT23 | |
| Базовый номер продукта | BSS670 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 540mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 270mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 2.7µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 2.26 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 75 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 360mW (Ta) | |
| Другие имена | BSS670S2L H6327DKR BSS670S2L H6327CT BSS670S2LH6327XTSA1CT BSS670S2L H6327DKR-ND BSS670S2L H6327-ND BSS670S2LH6327XTSA1TR BSS670S2LH6327XTSA1DKR SP000928950 BSS670S2L H6327CT-ND BSS670S2L H6327TR-ND BSS670S2L H6327 BSS670S2LH6327 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ABS07-32.768KHZ-TAbracon LLC
J104B2C12VDC.20SCIT Relay and Switch
BTS70041EPPXUMA1Infineon Technologies
LM2941SX/NOPBTexas Instruments
BSS214NWH6327XTSA1Infineon Technologies
2SC4738-GR,LFToshiba Semiconductor and Storage
DMN61D8L-7Diodes Incorporated
BSS138onsemi