SQ2398ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2280965-SQ2398ES-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ2398ES-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 1.6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SQ2398 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.4 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 152 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Tc) | |
| Другие имена | SQ2398ES-T1_GE3DKR SQ2398ES-T1_GE3TR SQ2398ES-T1_GE3CT SQ2398ES-T1_GE3-ND |
In stock Нужно больше?
0,39940 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQD50P08-25L_GE3Vishay Siliconix
NX3008NBKW,115Nexperia USA Inc.
VSSB410S-E3/52TVishay General Semiconductor - Diodes Division
SQ2337ES-T1_GE3Vishay Siliconix
SN74LVC1G14QDCKRQ1Texas Instruments
ATL431LIBQDBZRQ1Texas Instruments- MMBT7002K-AQDiotec Semiconductor
- TP0610K-T1-E3Vishay Siliconix
ZXMN10A07FTADiodes Incorporated- SQ2325ES-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQ2337ES-T1_BE3Vishay Siliconix
- SQ2362ES-T1_GE3Vishay Siliconix
