SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2280698-SI2319CDS-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2319CDS-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 40 V 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2319 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 3.1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 595 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | |
| Другие имена | SI2319CDS-T1-GE3TR SI2319CDST1GE3 SI2319CDS-T1-GE3CT SI2319CDS-T1-GE3DKR |
In stock Нужно больше?
0,52980 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
2N7002P,215Nexperia USA Inc.- MMBT3904,215Nexperia USA Inc.
1N4148WSDiotec Semiconductor
SI2319DS-T1-E3Vishay Siliconix- SI2318CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI2319CDS-T1-BE3Vishay Siliconix
MBR0540T3Gonsemi
LTST-C19HE1WTLite-On Inc.- SI2371EDS-T1-GE3Vishay Siliconix
- BSS123onsemi
DMP4065S-7Diodes Incorporated
