RU1C002ZPTCL
MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
НОВА часть #:
312-2284010-RU1C002ZPTCL
Производитель:
Номер детали производителя:
RU1C002ZPTCL
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | UMT3F | |
| Базовый номер продукта | RU1C002 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 200mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 100µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-85 | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 115 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150mW (Ta) | |
| Другие имена | RU1C002ZPTCLCT RU1C002ZPTCLTR RU1C002ZPTCLDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMG1013UWQ-7Diodes Incorporated
SSM3J35MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
NX3008PBK,215Nexperia USA Inc.
RU1E002SPTCLRohm Semiconductor- RU1C001ZPTLRohm Semiconductor
RE1C002ZPTLRohm Semiconductor
RZM002P02T2LRohm Semiconductor- RU1J002YNTCLRohm Semiconductor
SSM3J328R,LFToshiba Semiconductor and Storage- RE1C001UNTCLRohm Semiconductor
- RU1C001UNTCLRohm Semiconductor
- RE1C002UNTCLRohm Semiconductor
SSM3J15F,LFToshiba Semiconductor and Storage
