SI1050X-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6

НОВА часть #:

312-2263398-SI1050X-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI1050X-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

N-Channel 8 V 1.34A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SC-89 (SOT-563F)
Базовый номер продукта	SI1050
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	1.34A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	11.6 nC @ 5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SOT-563, SOT-666
VGS (макс.)	±5V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	8 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	585 pF @ 4 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	236mW (Ta)
Другие имена	SI1050X-T1-GE3DKR SI1050X-T1-GE3CT SI1050XT1GE3 SI1050X-T1-GE3TR