LND150N3-G
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
НОВА часть #:
312-2263362-LND150N3-G
Производитель:
Номер детали производителя:
LND150N3-G
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-92-3 | |
| Базовый номер продукта | LND150 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 30mA (Tj) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 0V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | - | |
| Полевой транзистор | Depletion Mode | |
| Пакет/кейс | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 10 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 740mW (Ta) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTP08N100D2IXYS
LND150K1-GMicrochip Technology
TN2106N3-GMicrochip Technology
2N7000TAonsemi- 2N7000-D74Zonsemi
BSS126H6906XTSA1Infineon Technologies- ZVN2110ADiodes Incorporated
- VN10KN3-GMicrochip Technology
DN2535N5-GMicrochip Technology- IXTP3N50D2IXYS
- J113onsemi
