NVMYS025N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
НОВА часть #:
312-2274237-NVMYS025N06CLTWG
Производитель:
Номер детали производителя:
NVMYS025N06CLTWG
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 8.5A (Ta), 21A (Tc) 3.8W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK4 (5x6) | |
| Базовый номер продукта | NVMYS025 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8.5A (Ta), 21A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27.5mOhm @ 7.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 13µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-1023, 4-LFPAK | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 330 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 24W (Tc) | |
| Другие имена | NVMYS025N06CLTWGOS NVMYS025N06CLTWGOSTR NVMYS025N06CLTWGOSDKR NVMYS025N06CLTWGOS-ND NVMYS025N06CLTWGOSCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- NVMYS014N06CLTWGonsemi
- NVMYS6D2N06CLTWGonsemi
- NTMYS025N06CLTWGonsemi
- SQJA64EP-T1_GE3Vishay Siliconix



