TW070J120B,S1Q
SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
НОВА часть #:
312-2265040-TW070J120B,S1Q
Производитель:
Номер детали производителя:
TW070J120B,S1Q
Стандартный пакет:
25
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 272W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-3P(N) | |
| Базовый номер продукта | TW070J120 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 36A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 18A, 20V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.8V @ 20mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 67 nC @ 20 V | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Пакет/кейс | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| VGS (макс.) | ±25V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1680 pF @ 800 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 272W (Tc) | |
| Другие имена | 264-TW070J120BS1Q |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IMW120R220M1HXKSA1Infineon Technologies
IMW120R350M1HXKSA1Infineon Technologies
C3M0075120DWolfspeed, Inc.
SCT2750NYTBRohm Semiconductor
G3R75MT12DGeneSiC Semiconductor
G3VM-601AYOmron Electronics Inc-EMC Div
C3M0065090DWolfspeed, Inc.