G2R1000MT17J
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
НОВА часть #:
312-2283620-G2R1000MT17J
Производитель:
Номер детали производителя:
G2R1000MT17J
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 1700 V 3A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263-7 | |
| Базовый номер продукта | G2R1000 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | G2R™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 20V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 2mA | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| VGS (макс.) | +20V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1700 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 139 pF @ 1000 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 54W (Tc) | |
| Другие имена | 1242-G2R1000MT17J |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
GAP3SLT33-214GeneSiC Semiconductor
IMBF170R650M1XTMA1Infineon Technologies
MSC750SMA170SMicrochip Technology- IMBF170R450M1XTMA1Infineon Technologies
G2R1000MT33JGeneSiC Semiconductor
SCT2750NYTBRohm Semiconductor
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon Technologies
SUM70090E-GE3Vishay Siliconix- G3R160MT17JGeneSiC Semiconductor
G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor- G3R450MT17JGeneSiC Semiconductor
C2M1000170JWolfspeed, Inc.- GB05MPS17-263GeneSiC Semiconductor