FDMS86500DC
MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
НОВА часть #:
312-2283051-FDMS86500DC
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMS86500DC
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 29A (Ta), 108A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | FDMS86500 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Dual Cool™, PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 29A (Ta), 108A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 29A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 107 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7680 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta), 125W (Tc) | |
| Другие имена | FDMS86500DCFSTR FDMS86500DCFSCT FDMS86500DCFSDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMTH6002LPS-13Diodes Incorporated
CSD18540Q5BTexas Instruments
PMEG3020EJ,115Nexperia USA Inc.
BSS64LT1Gonsemi
FDMS86500Lonsemi
BSC016N06NSTATMA1Infineon Technologies
FDMS86550ET60onsemi
DMN62D0UW-7Diodes Incorporated
BSS84-7-FDiodes Incorporated