BSP317PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
НОВА часть #:
312-2280178-BSP317PH6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSP317PH6327XTSA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
P-Channel 250 V 430mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT223-4 | |
| Базовый номер продукта | BSP317 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | SIPMOS® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 430mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 430mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 370µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15.1 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 250 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 262 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.8W (Ta) | |
| Другие имена | BSP317PH6327XTSA1CT BSP317PH6327XTSA1TR BSP317PH6327XTSA1DKR SP001058758 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BAS16HTWQ-13Diodes Incorporated
BZX84-C9V1,235Nexperia USA Inc.
SQJ431EP-T1_GE3Vishay Siliconix
BSS192PH6327FTSA1Infineon Technologies
DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated
IPD60R180P7SAUMA1Infineon Technologies
FQT2P25TFonsemi
BSS83PH6327XTSA1Infineon Technologies
BSP316PH6327XTSA1Infineon Technologies- SI2325DS-T1-E3Vishay Siliconix
- BSP322PH6327XTSA1Infineon Technologies
- MMBZ5240BS-7-FDiodes Incorporated
- BSS131H6327XTSA1Infineon Technologies
