BSS192PH6327FTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
НОВА часть #:
312-2285391-BSS192PH6327FTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSS192PH6327FTSA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT89 | |
| Базовый номер продукта | BSS192 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | SIPMOS® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 190mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 190mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 130µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-243AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 250 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 104 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Ta) | |
| Другие имена | BSS192PH6327FTSA1CT SP001047642 BSS192PH6327FTSA1TR BSS192PH6327FTSA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSS192,115Nexperia USA Inc.
TP2540N3-G-P002Microchip Technology
BSP317PH6327XTSA1Infineon Technologies- TP2540N3-GMicrochip Technology
TP2540N8-GMicrochip Technology
ZVP4525ZTADiodes Incorporated
