IRF6668TRPBF

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	DIRECTFET™ MZ
Базовый номер продукта	IRF6668
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	55A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.9V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	DirectFET™ Isometric MZ
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	80 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1320 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Другие имена	IRF6668TRPBFTR IRF6668TRPBFDKR IRF6668TRPBFCT SP001551178