IPT60R075CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
НОВА часть #:
312-2278045-IPT60R075CFD7XTMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPT60R075CFD7XTMA1
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-HSOF-8-1 | |
| Базовый номер продукта | IPT60R075 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ CFD7 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 33A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 11.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 570µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerSFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2103 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 188W (Tc) | |
| Другие имена | 448-IPT60R075CFD7XTMA1TR 448-IPT60R075CFD7XTMA1DKR 448-IPT60R075CFD7XTMA1CT SP001962930 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- IPT60R090CFD7XTMA1Infineon Technologies
- IPT60R055CFD7XTMA1Infineon Technologies
- IPDD60R045CFD7XTMA1Infineon Technologies
- IPT60R022S7XTMA1Infineon Technologies



