IPT60R022S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
НОВА часть #:
312-2283888-IPT60R022S7XTMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPT60R022S7XTMA1
Стандартный пакет:
2,000
N-Channel 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-HSOF-8-2 | |
| Базовый номер продукта | IPT60R022 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™S7 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 23A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 12V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 23A, 12V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 1.44mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 150 nC @ 12 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerSFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5639 pF @ 300 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 390W (Tc) | |
| Другие имена | SP003330410 448-IPT60R022S7XTMA1DKR 448-IPT60R022S7XTMA1TR 448-IPT60R022S7XTMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon Technologies
IPDQ60R010S7XTMA1Infineon Technologies
IPT65R033G7XTMA1Infineon Technologies
MSC015SMA070SMicrochip Technology
NTBG015N065SC1onsemi- IPT60R050G7XTMA1Infineon Technologies
IPT60R040S7XTMA1Infineon Technologies- IPDQ60R010S7AXTMA1Infineon Technologies
IPDD60R045CFD7XTMA1Infineon Technologies- IPT60R028G7XTMA1Infineon Technologies
- IPT60R075CFD7XTMA1Infineon Technologies
- IPT60R035CFD7XTMA1Infineon Technologies
