IPT60R090CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
НОВА часть #:
312-2278049-IPT60R090CFD7XTMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPT60R090CFD7XTMA1
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-HSOF-8-1 | |
| Базовый номер продукта | IPT60R090 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ CFD7 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 28A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 9.3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 470µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerSFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1752 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 160W (Tc) | |
| Другие имена | 448-IPT60R090CFD7XTMA1CT 448-IPT60R090CFD7XTMA1DKR 448-IPT60R090CFD7XTMA1TR SP005346354 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPT60R055CFD7XTMA1Infineon Technologies
IPT60R075CFD7XTMA1Infineon Technologies