SISS46DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK
НОВА часть #:
312-2263450-SISS46DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SISS46DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 12.5A (Ta), 45.3A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8S | |
| Базовый номер продукта | SISS46 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12.5A (Ta), 45.3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8S | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2140 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) | |
| Другие имена | SISS46DN-T1-GE3TR SISS46DN-T1-GE3CT SISS46DN-T1-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIR846BDP-T1-RE3Vishay Siliconix- SIR108DP-T1-RE3Vishay Siliconix
PBSS4230PANP,115NXP USA Inc.
SISS32DN-T1-GE3Vishay Siliconix
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon Technologies
SISS76LDN-T1-GE3Vishay Siliconix
SI7454FDP-T1-RE3Vishay Siliconix
BSC0802LSATMA1Infineon Technologies
SIB456DK-T1-GE3Vishay Siliconix
SIS110DN-T1-GE3Vishay Siliconix
AONR66922Alpha & Omega Semiconductor Inc.
