SISS76LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
НОВА часть #:
312-2361471-SISS76LDN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SISS76LDN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8SH | |
| Базовый номер продукта | SISS76 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 3.3V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.25mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.6V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 33.5 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8SH | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 70 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2780 pF @ 35 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SISS76LDN-T1-GE3DKR 742-SISS76LDN-T1-GE3CT 742-SISS76LDN-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIS176LDN-T1-GE3Vishay Siliconix
SISS46DN-T1-GE3Vishay Siliconix