SIB456DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
НОВА часть #:
312-2285011-SIB456DK-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIB456DK-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 6.3A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-75-6 | |
| Базовый номер продукта | SIB456 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 1.9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SC-75-6 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 130 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) | |
| Другие имена | SIB456DKT1GE3 SIB456DK-T1-GE3TR SIB456DK-T1-GE3CT SIB456DK-T1-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIB452DK-T1-GE3Vishay Siliconix
NST3946DP6T5Gonsemi
BAT46WJ,115Nexperia USA Inc.
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
MMDT5451-7-FDiodes Incorporated- MMDT5551-7-FDiodes Incorporated
SISS46DN-T1-GE3Vishay Siliconix
DFLS1100-7Diodes Incorporated
74LVC1G17GS,132NXP USA Inc.
BZX884-C10,315Nexperia USA Inc.
