SIS110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
НОВА часть #:
312-2285531-SIS110DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIS110DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 5.2A (Ta), 14.2A (Tc) 3.2W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 | |
| Базовый номер продукта | SIS110 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.2A (Ta), 14.2A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 550 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta), 24W (Tc) | |
| Другие имена | SIS110DN-T1-GE3TR SIS110DN-T1-GE3DKR SIS110DN-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PSMN075-100MSEXNexperia USA Inc.
BSS123K-TPMicro Commercial Co
PCAL6416APW,118NXP USA Inc.
ZXMP10A18GTADiodes Incorporated
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon Technologies
SI7322ADN-T1-GE3Vishay Siliconix
SISS46DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SSM6K361NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
SSM3K35AFS,LFToshiba Semiconductor and Storage- SIS128LDN-T1-GE3Vishay Siliconix
AB26TRQ-32.768KHZ-TAbracon LLC
