IMW120R220M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
НОВА часть #:
312-2276606-IMW120R220M1HXKSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IMW120R220M1HXKSA1
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 1200 V 13A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO247-3-41 | |
| Базовый номер продукта | IMW120 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | CoolSiC™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 13A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 15V, 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 286mOhm @ 4A, 18V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.7V @ 1.6mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.5 nC @ 18 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | +23V, -7V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 289 pF @ 800 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 75W (Tc) | |
| Другие имена | SP001946188 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IMW120R350M1HXKSA1Infineon Technologies- IMW120R090M1HXKSA1Infineon Technologies
IMW120R140M1HXKSA1Infineon Technologies
G3R350MT12DGeneSiC Semiconductor
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon Technologies- G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
NVHL160N120SC1onsemi- G3R160MT12DGeneSiC Semiconductor
G3R350MT12JGeneSiC Semiconductor