BSC005N03LS5ATMA1
TRENCH <= 40V
НОВА часть #:
312-2288748-BSC005N03LS5ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC005N03LS5ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 42A (Ta), 433A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 FL | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 42A (Ta), 433A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.55mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 122 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8900 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 188W (Tc) | |
| Другие имена | 448-BSC005N03LS5ATMA1DKR 448-BSC005N03LS5ATMA1TR 448-BSC005N03LS5ATMA1CT SP004819078 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon Technologies
BSC005N03LS5IATMA1Infineon Technologies
ISC007N04NM6ATMA1Infineon Technologies
SIR178DP-T1-RE3Vishay Siliconix
SIR500DP-T1-RE3Vishay Siliconix- BSC007N04LS6ATMA1Infineon Technologies
TPWR6003PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
IPT004N03LATMA1Infineon Technologies- TPHR9203PL1,LQToshiba Semiconductor and Storage
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon Technologies
NTMFS0D5N03CT1Gonsemi
TPHR6503PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
CSD16570Q5BTexas Instruments- NTMFS0D6N03CT1Gonsemi
