BSC004NE2LS5ATMA1
TRENCH <= 40V
НОВА часть #:
312-2297568-BSC004NE2LS5ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC004NE2LS5ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 25 V 40A (Ta), 479A (Tc) 2.5W (Ta), 188W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 40A (Ta), 479A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.45mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 10mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 238 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11000 pF @ 12.5 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 188W (Tc) | |
| Другие имена | 448-BSC004NE2LS5ATMA1TR SP004950304 448-BSC004NE2LS5ATMA1CT 448-BSC004NE2LS5ATMA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NVMTS0D4N04CLTXGonsemi
BSC005N03LS5IATMA1Infineon Technologies
SIR500DP-T1-RE3Vishay Siliconix
BSC007N04LS6ATMA1Infineon Technologies
IPT004N03LATMA1Infineon Technologies
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon Technologies
NTMFS0D5N03CT1Gonsemi- NTMTS0D6N04CLTXGonsemi
BSC005N03LS5ATMA1Infineon Technologies
CSD16570Q5BTexas Instruments
