NTMFS0D5N03CT1G
MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
НОВА часть #:
312-2361478-NTMFS0D5N03CT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTMFS0D5N03CT1G
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 65A (Ta), 464A (Tc) 3.9W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 65A (Ta), 464A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.52mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 330µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 178 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 13000 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.9W (Ta), 200W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NTMFS0D5N03CT1GDKR 488-NTMFS0D5N03CT1GCT 488-NTMFS0D5N03CT1GTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NVMTS0D4N04CLTXGonsemi
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon Technologies
NTMFS0D8N02P1ET1Gonsemi- NTMTS001N06CLTXGonsemi
SIR500DP-T1-RE3Vishay Siliconix
TPWR6003PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
IPT004N03LATMA1Infineon Technologies
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon Technologies
BSC005N03LS5ATMA1Infineon Technologies
CSD16570Q5BTexas Instruments- NTMFS0D6N03CT1Gonsemi