SIR500DP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
НОВА часть #:
312-2278831-SIR500DP-T1-RE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIR500DP-T1-RE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen V | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.47mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | +16V, -12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8960 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SIR500DP-T1-RE3CT 742-SIR500DP-T1-RE3DKR 742-SIR500DP-T1-RE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NVMTS0D4N04CLTXGonsemi
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon Technologies
SQJ126EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SIR178DP-T1-RE3Vishay Siliconix
TLV9152IDRTexas Instruments
IPT004N03LATMA1Infineon Technologies- TPHR9203PL1,LQToshiba Semiconductor and Storage
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon Technologies
HDS20M-13Diodes Incorporated
NTMFS0D5N03CT1Gonsemi
PDZ12BGWJNexperia USA Inc.
UDZ5V1BF-7Diodes Incorporated
BSC005N03LS5ATMA1Infineon Technologies
SIRC16DP-T1-GE3Vishay Siliconix