BSC010N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
НОВА часть #:
312-2283010-BSC010N04LS6ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC010N04LS6ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-6 | |
| Базовый номер продукта | BSC010 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 40A (Ta), 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 67 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4600 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 150W (Tc) | |
| Другие имена | BSC010N04LS6ATMA1CT SP001687044 BSC010N04LS6ATMA1-ND BSC010N04LS6ATMA1TR BSC010N04LS6ATMA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC010N04LSIATMA1Infineon Technologies
LM337LMX/NOPBTexas Instruments- ISC007N04NM6ATMA1Infineon Technologies
ISC010N04NM6ATMA1Infineon Technologies- BSC014N04LSIATMA1Infineon Technologies
BSC007N04LS6ATMA1Infineon Technologies
BSC010N04LSCATMA1Infineon Technologies- BSC059N04LS6ATMA1Infineon Technologies
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon Technologies
BSC026N02KSGAUMA1Infineon Technologies- BSC010N04LSATMA1Infineon Technologies
- BSC010N04LSTATMA1Infineon Technologies
- BSC022N04LS6ATMA1Infineon Technologies
