BSC010N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
НОВА часть #:
312-2283072-BSC010N04LSIATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC010N04LSIATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 FL | |
| Базовый номер продукта | BSC010 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 37A (Ta), 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | Schottky Diode (Body) | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6200 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) | |
| Другие имена | INFINFBSC010N04LSIATMA1 SP000953210 BSC010N04LSIATMA1DKR BSC010N04LSIATMA1CT BSC010N04LSIATMA1TR BSC010N04LSIATMA1-ND 2156-BSC010N04LSIATMA1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTMFS4C302NT1Gonsemi
1N4148WS-7-FDiodes Incorporated
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon Technologies
BSC014N04LSIATMA1Infineon Technologies
BSC010N04LSCATMA1Infineon Technologies
KSZ9031RNXICMicrochip Technology- BSC010N04LSATMA1Infineon Technologies
M24SR64-YMN6T/2STMicroelectronics- BSC010N04LSTATMA1Infineon Technologies
SMMBT3904LT3Gonsemi- BSC015NE2LS5IATMA1Infineon Technologies
- BSC010N04LS6ATMA1Infineon Technologies
SN74AUP1T34DSFRTexas Instruments
