BSC026N02KSGAUMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-1
Базовый номер продукта	BSC026
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	25A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.2V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	52.7 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±12V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	7800 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Другие имена	BSC026N02KS GDKR-ND BSC026N02KSGAUMA1TR BSC026N02KSGAUMA1DKR SP000379664 BSC026N02KS GCT BSC026N02KS G BSC026N02KSG BSC026N02KS G-ND BSC026N02KS GCT-ND BSC026N02KS GTR BSC026N02KS GTR-ND BSC026N02KS GDKR BSC026N02KSGAUMA1CT 2156-BSC026N02KSGAUMA1 INFINFBSC026N02KSGAUMA1

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!