BSC015NE2LS5IATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-6
Базовый номер продукта	BSC015
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	33A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±16V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	25 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2000 pF @ 12 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Другие имена	BSC015NE2LS5IATMA1-ND SP001288138 448-BSC015NE2LS5IATMA1DKR 448-BSC015NE2LS5IATMA1TR 448-BSC015NE2LS5IATMA1CT