BSC010NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
НОВА часть #:
312-2296999-BSC010NE2LSIATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC010NE2LSIATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 25 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | - | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-7 | |
| Базовый номер продукта | BSC010 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 38A (Ta), 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4200 pF @ 12 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) | |
| Другие имена | BSC010NE2LSIATMA1DKR BSC010NE2LSIDKR BSC010NE2LSIATMA1TR BSC010NE2LSICT-ND BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1CT BSC010NE2LSIDKR-ND BSC010NE2LSITR-ND BSC010NE2LSI-ND SP000854376 BSC010NE2LSICT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DTD113ZKT146Rohm Semiconductor
74AHCT1G79GW,125Nexperia USA Inc.
CMDSH-3 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
LTST-C191KGKTLite-On Inc.
CMPT3904E TR PBFREECentral Semiconductor Corp
CMMR1U-02 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
BSZ034N04LSATMA1Infineon Technologies
PEMH9,115Nexperia USA Inc.
DFLS1100-7Diodes Incorporated
