BSC009NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
НОВА часть #:
312-2282623-BSC009NE2LS5IATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC009NE2LS5IATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-7 | |
| Базовый номер продукта | BSC009 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 40A (Ta), 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 49 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3200 pF @ 12 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 74W (Tc) | |
| Другие имена | BSC009NE2LS5IATMA1-ND SP001212434 BSC009NE2LS5IATMA1CT BSC009NE2LS5IATMA1DKR BSC009NE2LS5IATMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NC7WZ07P6Xonsemi
ADV7282AWBCPZAnalog Devices Inc.
BSC014N04LSIATMA1Infineon Technologies
LT3020EMS8#PBFAnalog Devices Inc.
CAT34C02HU4IGT4Aonsemi
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon Technologies
AM5728BABCXEATexas Instruments- BSC093N04LSGATMA1Infineon Technologies
- BSC015NE2LS5IATMA1Infineon Technologies
