IXTA10P50P
MOSFET P-CH 500V 10A TO263
НОВА часть #:
312-2283624-IXTA10P50P
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTA10P50P
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
P-Channel 500 V 10A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263AA | |
| Базовый номер продукта | IXTA10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Polar | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2840 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- IXTQ60N20L2IXYS
- SIHD5N50D-GE3Vishay Siliconix
- US1MDFQ-13Diodes Incorporated
- FQD3P50TMonsemi
- US1G-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes Division
- DS04-254-2-03BK-SMTCUI Devices
- IXTT36N50PIXYS
- SQM120P06-07L_GE3Vishay Siliconix
- 1N4148WSTRSMC Diode Solutions








