FQD3P50TM
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
НОВА часть #:
312-2263167-FQD3P50TM
Производитель:
Номер детали производителя:
FQD3P50TM
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 500 V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FQD3P50 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | QFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.1A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9Ohm @ 1.05A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 660 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
| Другие имена | FQD3P50TM-ND FQD3P50TMCT FQD3P50TMTR FQD3P50TMDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FQD2P40TMonsemi
FM24V10-GCypress Semiconductor Corp
MMST3904-7-FDiodes Incorporated
LT1381CS#TRPBFAnalog Devices Inc.
FQP2P40-F080onsemi- FQD12N20LTMonsemi
BSS138Wonsemi
FQB1P50TMonsemi- FQD3P50TM-AM002BLTonsemi
MURA160T3Gonsemi
VP2450N8-GMicrochip Technology
DMP45H150DHE-13Diodes Incorporated
CPC1394GRIXYS Integrated Circuits Division
IXTA10P50PIXYS
