IXTQ60N20L2
MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
НОВА часть #:
312-2312227-IXTQ60N20L2
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTQ60N20L2
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-3P | |
| Базовый номер продукта | IXTQ60 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Linear L2™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 60A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 255 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 10500 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 540W (Tc) | |
| Другие имена | -IXTQ60N20L2 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTK110N20L2IXYS
IXTA10P50PIXYS