DMTH6010LPSQ-13

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerDI5060-8
Базовый номер продукта	DMTH6010
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	13.5A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	41.3 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2090 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.6W (Ta), 136W (Tc)
Другие имена	DMTH6010LPSQ-13DIDKR DMTH6010LPSQ-13DITR DMTH6010LPSQ-13DICT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!