NVMFS6B05NLT1G
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
НОВА часть #:
312-2276670-NVMFS6B05NLT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NVMFS6B05NLT1G
Стандартный пакет:
1
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 114A (Tc) 3.8W (Ta), 165W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 114A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3980 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 165W (Tc) | |
| Другие имена | 2156-NVMFS6B05NLT1G-488 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NVMFS6B25NLWFT1Gonsemi
NTMFS005N10MCLT1Gonsemi
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon Technologies- NVMFS6B05NLWFT3Gonsemi
FDMS86350onsemi- NTMFS6B03NT3Gonsemi
- NTMFS3D6N10MCLT1Gonsemi
DI100N10PQDiotec Semiconductor
BSC0802LSATMA1Infineon Technologies
