IPT059N15N3ATMA1
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
НОВА часть #:
312-2283612-IPT059N15N3ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPT059N15N3ATMA1
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 155A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-HSOF-8-1 | |
| Базовый номер продукта | IPT059 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 155A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 150A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 270µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 92 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerSFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7200 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) | |
| Другие имена | SP001100162 2156-IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1DKR IPT059N15N3ATMA1CT IPT059N15N3 IPT059N15N3ATMA1TR -IPT059N15N3ATMA1 IFEINFIPT059N15N3ATMA1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LTC2945HUD#PBFAnalog Devices Inc.
FDBL86210-F085onsemi
IPB044N15N5ATMA1Infineon Technologies
IPT012N08N5ATMA1Infineon Technologies
NTBGS4D1N15MConsemi- FDB075N15Aonsemi
- NVBGS4D1N15MConsemi
DI110N15PQDiotec Semiconductor
