TK100S04N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
НОВА часть #:
312-2279164-TK100S04N1L,LXHQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TK100S04N1L,LXHQ
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 100A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount DPAK+
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK+ | |
| Базовый номер продукта | TK100S04 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVIII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 500µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 76 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5490 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 180W (Tc) | |
| Другие имена | TK100S04N1L,LXHQ(O 264-TK100S04N1LLXHQDKR 264-TK100S04N1LLXHQCT 264-TK100S04N1LLXHQTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TK100S04N1L,LQToshiba Semiconductor and Storage
BUK9M3R3-40HXNexperia USA Inc.
SQD100N04-3M6_GE3Vishay Siliconix
SQR40020ER_GE3Vishay Siliconix
TK1R4S04PB,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
NVD5C434NT4Gonsemi
MMBTA06-HFComchip Technology- NP90N04VUK-E1-AYRenesas Electronics America Inc
