NP90N04VUK-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 90A TO252
НОВА часть #:
312-2294458-NP90N04VUK-E1-AY
Производитель:
Номер детали производителя:
NP90N04VUK-E1-AY
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 1.2W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount TO-252
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252 | |
| Базовый номер продукта | NP90N04 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 90A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 45A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 102 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5850 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.2W (Ta), 147W (Tc) | |
| Другие имена | 559-NP90N04VUK-E1-AYTR 559-NP90N04VUK-E1-AYCT NP90N04VUK-E1-AY-ND 559-NP90N04VUK-E1-AYDKR -1161-NP90N04VUK-E1-AYCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- TK100S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
- NP90N055VUK-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- TK1R4S04PB,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
- DGD0506AM10-13Diodes Incorporated



