DMP56D0UFB-7B
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
НОВА часть #:
312-2273485-DMP56D0UFB-7B
Производитель:
Номер детали производителя:
DMP56D0UFB-7B
Стандартный пакет:
10,000
Технический паспорт:
P-Channel 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | X1-DFN1006-3 | |
| Базовый номер продукта | DMP56 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 200mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 100mA, 4V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.58 nC @ 4 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-UFDFN | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 50 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 50.54 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 425mW (Ta) | |
| Другие имена | DMP56D0UFB-7BDITR DMP56D0UFB-7BDICT DMP56D0UFB-7BDIDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN62D1LFB-7BDiodes Incorporated
DMP32D9UFZ-7BDiodes Incorporated- DMN62D1SFB-7BDiodes Incorporated
DMP21D5UFB4-7BDiodes Incorporated- DMP58D0LFB-7Diodes Incorporated
BSS84AKMB,315Nexperia USA Inc.- DMP32D5SFB-7BDiodes Incorporated
BSS84XHZGG2CRRohm Semiconductor- DMN62D0LFB-7Diodes Incorporated
- DMP56D0UFB-7Diodes Incorporated