DMN62D0LFB-7
MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
НОВА часть #:
312-2273675-DMN62D0LFB-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN62D0LFB-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 100mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | X1-DFN1006-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN62 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 100mA, 4V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.45 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-UFDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 32 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 470mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN62D0LFB-7DICT DMN62D0LFB-7DITR DMN62D0LFB-7DI-ND DMN62D0LFB-7DI DMN62D0LFB-7DIDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMP32D4SFB-7BDiodes Incorporated- DMN62D1LFB-7BDiodes Incorporated
RUM001L02T2CLRohm Semiconductor- DMN62D1SFB-7BDiodes Incorporated
- DMN65D8LFB-7Diodes Incorporated
MMBTA56LT3Gonsemi
DMP21D5UFB4-7BDiodes Incorporated- DMP58D0LFB-7Diodes Incorporated
- DMN2400UFB-7Diodes Incorporated
EPC2036EPC- DMN65D8LFB-7BDiodes Incorporated
- DMN26D0UFB4-7Diodes Incorporated