BSS84AKMB,315
MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3
НОВА часть #:
312-2273281-BSS84AKMB,315
Производитель:
Номер детали производителя:
BSS84AKMB,315
Стандартный пакет:
10,000
Технический паспорт:
P-Channel 50 V 230mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DFN1006B-3 | |
| Базовый номер продукта | BSS84 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 230mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 100mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.35 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-XFDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 50 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 36 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) | |
| Другие имена | 934065863315 1727-1264-6 568-10472-6 BSS84AKMB,315-ND 568-10472-1 568-10472-6-ND 568-10472-2 568-10472-2-ND 1727-1264-2 568-10472-1-ND 1727-1264-1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSS84PWH6327XTSA1Infineon Technologies
BSS84AKM,315Nexperia USA Inc.
DMP58D0LFB-7Diodes Incorporated
FT232RQ-REELFTDI, Future Technology Devices International Ltd
BSS84AKW,115NXP USA Inc.
BSS8402DW-7-FDiodes Incorporated
BSS84AKW-B115NXP USA Inc.
DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated
BSS84XHZGG2CRRohm Semiconductor
BSS84AK,215Nexperia USA Inc.
BSS84MDD
BSS84W-7-FDiodes Incorporated
