IPD200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
НОВА часть #:
312-2283002-IPD200N15N3GATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD200N15N3GATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 | |
| Базовый номер продукта | IPD200 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 90µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1820 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) | |
| Другие имена | IPD200N15N3GATMA1CT IPD200N15N3GATMA1TR IPD200N15N3GATMA1DKR SP001127820 IPD200N15N3GATMA1-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NSI50010YT1Gonsemi
SUD80460E-GE3Vishay Siliconix
IPD90N10S4L06ATMA1Infineon Technologies
NTD5867NLT4Gonsemi
1N4148W-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes Division
NTDS015N15MCT4Gonsemi
FDD86250-F085onsemi
FDD86250onsemi
ISO1042BQDWVRQ1Texas Instruments
IPD110N12N3GATMA1Infineon Technologies
1N4148W-7-FDiodes Incorporated- IPB200N15N3GATMA1Infineon Technologies
