NTD5867NLT4G
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
НОВА часть #:
312-2285514-NTD5867NLT4G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTD5867NLT4G
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 20A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount DPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK | |
| Базовый номер продукта | NTD5867 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 20A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 675 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 36W (Tc) | |
| Другие имена | 2156-NTD5867NLT4G-OS ONSNTD5867NLT4G NTD5867NLT4G-ND NTD5867NLT4GOSDKR NTD5867NLT4GOSTR NTD5867NLT4GOSCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTD25P03LT4Gonsemi
BSP772TXUMA1Infineon Technologies
MC33039DR2Gonsemi
LM317DCYRTexas Instruments
IRLR2705TRPBFInfineon Technologies
NCP380HMUAJAATBGonsemi
BTS6163DAUMA1Infineon Technologies
NCV380HMUAJAATBGonsemi- NTD20P06LT4Gonsemi
MMBT2907ALT1Gonsemi
NCP45560IMNTWG-Honsemi
DMN6040SK3-13Diodes Incorporated
NCV7428D15R2Gonsemi
NTD5865NLT4Gonsemi
