IPD90N10S4L06ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
НОВА часть #:
312-2282825-IPD90N10S4L06ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD90N10S4L06ATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-313 | |
| Базовый номер продукта | IPD90N10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 90A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.1V @ 90µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 98 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6250 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 136W (Tc) | |
| Другие имена | IPD90N10S4L06ATMA1-ND IPD90N10S4L06ATMA1CT IPD90N10S4L06ATMA1TR IPD90N10S4L06ATMA1DKR SP000866562 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD70N12S311ATMA1Infineon Technologies
74AHC1G07GV-Q100HNexperia USA Inc.
NRVB30H100MFST1Gonsemi
RB098BM100FHTLRohm Semiconductor
BSS123NH6327XTSA1Infineon Technologies
IPD110N12N3GATMA1Infineon Technologies- IPD200N15N3GATMA1Infineon Technologies
IAUC90N10S5N062ATMA1Infineon Technologies- IPD30N10S3L34ATMA1Infineon Technologies
BZD27C68PWHTaiwan Semiconductor Corporation
FDWS9508L-F085onsemi
ZLDO1117QG33TADiodes Incorporated
