IPB200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
НОВА часть #:
312-2280507-IPB200N15N3GATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPB200N15N3GATMA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 | |
| Базовый номер продукта | IPB200 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 90µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1820 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) | |
| Другие имена | IPB200N15N3GATMA1CT IPB200N15N3GATMA1DKR IPB200N15N3 GCT-ND IPB200N15N3 G IPB200N15N3 GDKR IPB200N15N3 GCT IPB200N15N3 GTR-ND IPB200N15N3G IPB200N15N3 GTR IPB200N15N3GATMA1TR IPB200N15N3 G-ND SP000414740 IPB200N15N3 GDKR-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DI036N20PQDiotec Semiconductor
IPD200N15N3GATMA1Infineon Technologies
