FDB024N08BL7
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
НОВА часть #:
312-2263306-FDB024N08BL7
Производитель:
Номер детали производителя:
FDB024N08BL7
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 246W (Tc) Surface Mount TO-263-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263-7 | |
| Базовый номер продукта | FDB024 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 178 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 13530 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 246W (Tc) | |
| Другие имена | FDB024N08BL7TR FDB024N08BL7DKR FDB024N08BL7CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDB035N10Aonsemi
IPB180N08S402ATMA1Infineon Technologies
PSMN3R3-80BS,118Nexperia USA Inc.
FDMS86350onsemi
STH270N8F7-6STMicroelectronics
IPB032N10N5ATMA1Infineon Technologies- IPB019N08N3GATMA1Infineon Technologies
- BUK964R2-80E,118Nexperia USA Inc.
FDMS86105onsemi
