ISZ0803NLSATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

TRENCH >=100V PG-TSDSON-8

НОВА часть #:

312-2275702-ISZ0803NLSATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

ISZ0803NLSATMA1

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

N-Channel 100 V 7.7A (Ta), 37A (Tc) 2.1W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8-26
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™ 5
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	7.7A (Ta), 37A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.3V @ 18µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1000 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.1W (Ta), 43W (Tc)
Другие имена	SP005430493 448-ISZ0803NLSATMA1TR 448-ISZ0803NLSATMA1DKR 448-ISZ0803NLSATMA1CT