TPN3300ANH,LQ
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
НОВА часть #:
312-2277595-TPN3300ANH,LQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TPN3300ANH,LQ
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 700mW (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | TPN3300 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVIII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9.4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4.7A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 100µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 880 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 700mW (Ta), 27W (Tc) | |
| Другие имена | TPN3300ANHLQ TPN3300ANH,LQ(S TPN3300ANHLQDKR TPN3300ANHLQTR TPN3300ANHLQCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ABM8G-12.000MHZ-4Y-T3Abracon LLC
AO7401Alpha & Omega Semiconductor Inc.
LT4321HUF#TRPBFAnalog Devices Inc.
STL7N10F7STMicroelectronics
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon Technologies
IRL100HS121Infineon Technologies
SI7322ADN-T1-GE3Vishay Siliconix
SQSA12CENW-T1_GE3Vishay Siliconix- IRFHM3911TRPBFInfineon Technologies
ZXTP19100CGTADiodes Incorporated
FDMC86260onsemi
ISZ0803NLSATMA1Infineon Technologies
FDMS86105onsemi
AONR66922Alpha & Omega Semiconductor Inc.
